电阻的温度系数可能为负吗??

iview Post at 2008/9/22 10:44:00

电阻的温度系数可能为负吗??

 

源引一个话题及讨论

 

从同学那里copy了一个库文件来做前端仿真,发现有几种电阻的TCf是负的,看库文件里面的描述发现确实可能为负。

但是从物理层面来说,电阻就是无规则热运动导致的,怎么可能会有负的温度系数呢?

迷糊了,哪位指点一下,谢谢!!!

 

电阻的温度系数完全有可能为负!

例如:SMIC 0.18um工艺里面

Silicide N+ diffusion resistor的温度系数TC1=3.12E-3,

Non-Silicide N+ Poly resistor的温度系数TC1=-1.35E-3

电阻和掺杂类型,掺杂浓度和材料有关:

比如说Si和多晶硅材料肯定不同

记得以前学半导体物理的书里面有关于半导体材料

的电阻率方面的内容,电阻和载流子浓度,迁移率等参数都有关系的

 

一般掺杂Si(多晶Si)电阻的温度系数为正温,而本征或称为高阻Si(多晶Si)为负温系数,金属电阻为正温系数。

 

一般的电阻都是正温度系数,例如 base P  、注入电阻。 而且随着方块值的增加,即浓度的不同,温度系数也不同。

poly电阻比较特殊,高阻poly属于负温度系数,而低阻的poly属于正温度系数。

 

It is very useful, one can use both resistor with negative temperture coeffecient and resistor with positive temperture coeffecient to design a temperture-independent voltage divider!

 

评论:电阻值和载流子浓度,迁移率直接相关。通常迁移率为正温度系数,因为温度越高,电子热运动越明显,表现出迁移率下降。大多数电阻由于载流子浓度和文图关系不大,或者随温度关系远小于迁移率随温度系数,因此大部分电阻表现出正温度系数。而有些电阻,如SAB N+POLYSAB P+POLY由于载流子密度随温度升高而升高,且明显高于迁移率温度系数,因此表现出负温度系数。

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