SDRAM的深入理解10

chinapluss Post at 2006/3/13 13:13:00

turkyrun: ras cas we 应该是复用的,不然加载模式时全低又怎么解释呢,8种状态全用完了

sunnybird:因为datasheet是介绍器件的,而不是理论教材。

另:我的项目搞定了,说明对SDRAM的理解是对的,我降频在48MHz使用。


以下三张图是资料提供的,第4张图是我自己推导的:
SDRAM 的IC设计版图:

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注意:现在的SDRAM设计,存储电容另一端的参考电平是二分之一Vcc
wordline理解为字线,digiline(bitline)理解为位线

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  以现在的0.35um工艺,存储电容大约有300fF(1pF=1000fF)。现在的单颗芯片的容量越来越大,分到每个存储电容的芯片面积越来越小,电容容量也越来越小。这么小的电容存储的电量远不足以去开关mos管(因不了解芯片制造工艺,所以我有上面第12楼那不切实际的推导),采用的办法是用两个电容,一个正相存储,一个反相存储,这也是参考电压选vcc/2的原因;要读出数据时,用的是运放差分放大,一个电容搭在正相端,另一个搭在反相端,这样就把微弱的电量读出来了;而且由于电容电量实在太小,在向运放正反相端充放电时就几乎把电耗尽,也就是把自身的数据破坏了。
  那么precharge的任务之一就是将位线及运放正反向端搭在参考电位(Vcc/2)上,active时脱离此参考电位。

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