SDRAM的深入理解4

chinapluss Post at 2006/3/13 13:22:00

下面再做个试验:在某地址写入数据,然后不停地间断去读(含active和precharge),只要间隔不大于64ms,不用插入任何刷新命令,数据应该一直有效。

下面的问题是:模式编程的内容存在哪?也是特定内存单元还是专用寄存器?问题源于内存初始化后有几秒的空闲期,我不想安排刷新命令,模式编程的内容会丢吗?

在使用中可以更该模式吗?我的数据流为每组2048words,大于内存1页256words,按内存时序要求页之间无法连续(需插入terminate或precharge及active),那么采用fix-length burst,就可以alternating bank write,这样就省去用fifo缓存的麻烦。用上位机读出时为了方便,要采用full-page burst,中途能更改模式吗?如可以,还需120us的等待吗?

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