三星电子抢先台积电风险试产4nm和3nm芯片

本文由用户 却输给了时间 发表于　2021年5月11日　我爱研发网　　　　　　参与：3人　我来说两句

　　据台湾《经济日报》5月10日消息，三星电子正在韩国平泽扩产，新产线将于6月中下旬开始营运，主要满足下一代产品需要，增加5nm极紫外光（EUV）产能；同时也抢先于台积电，力拼在6月开展4nm和3nm芯片的风险试产。
　　
　　三星电子预期，包括辉达、高通、特斯拉在内的客户，以及挖矿芯片的需求将增加，位于平泽的新产线产能可增加2万片。
　　
　　依照三星电子原先计划，其试产计划与台积电保持一致。据悉，台积电4nm、3nm制程芯片的试产预计在今年下半年展开。三星电子多项先进制程逼近台积电，甚至提出了比台积电更快的目标。
　　
　　在今年IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星电子首次展示了其采用3nm工艺制造的芯片。三星电子的3nm工艺制成芯片是目前全球首款高精度芯片。
　　
　　在过去长达10多年的时间里，三星和台积电均采用了FinFET技术，完成了从28nm制程到7nm制程的过渡；但两者在进行5nm制程的开发中，FinFET对于高精度芯片的生产已达到了极限，从7nm到5nm的过渡已变得非常艰难。三星率先采用MBCFEF技术来替代传统的FinFET技术，使得3nm制程芯片率先亮相。
　　
　　然而，与三星不同，台积电更倾向于对传统技术的改进，继续对FinFET技术进行改进。FinFET技术是目前最成熟的芯片生产技术，但到了5nm后已经达到了极限，芯片漏电问题导致设备的续航能力减弱，功耗上升，手机发热严重。
　　
　　对于三星电子的追赶，台积电一向不评论竞争对手的动态。不过，三星电子主力制程仍在14nm和8nm。三星电子官方显示，其旗下晶圆代工厂在平泽拥有5nm EUV工厂，并且还在华城厂区量产了5nm。合计在韩国，三星电子有六大生产基地（包含一个封测厂、一座8寸厂和四座12寸厂）。52RD.com  微博关注:http://weibo.com/52rd  微信关注:admin_52RD