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三星宣布成功完成 8 纳米 5G 射频解决方案开发:功率效率提高 35%

本文由用户 无人象你 发表于 2021年6月9日 C114中国通信网      参与:5人 我来说两句
  三星官网今日发布消息称,该公司已推出了基于 8 纳米工艺的最新射频技术。
  
  三星表示,这一先进的工艺技术有望提供专门用于支持多通道和多天线芯片设计的 5G 通信“单芯片解决方案”。三星的 8 纳米射频平台将把该公司在 5G 半导体市场的领导地位从 Sub-6GHz 频段扩展至毫米波应用。
  
  三星的 8 纳米射频工艺技术是对目前已经广泛使用的包括 28 纳米和 14 纳米在内的射频相关解决方案的最新补充。自 2017 年以来,三星为高端智能手机出货了超过 5 亿颗移动终端射频芯片。
  
  “通过卓越的创新和工艺制造,我们加强了我们的下一代无线通信产品。”三星电子代工技术开发团队主管 Hyung Jin Lee 表示。“随着 5G 毫米波的扩展,对于那些在紧凑型移动终端上寻求实现更长电池寿命和出色信号质量的客户来说,三星 8 纳米射频将成为一个很好的解决方案。”
  
  随着向先进节点的不断扩展,数字电路在性能、功耗和面积 (PPA) 方面得到了显著改善,而模拟 / 射频模块由于退化寄生效应(例如窄线宽引起的电阻增加)而没有得到这种改善。因此,大多数通信芯片趋向于出现射频特性退化,例如接收频率放大性能劣化和功耗增加。
  
  为了克服模拟 / 射频扩展方面的挑战,三星开发了一种独特的 8 纳米射频专用架构,名为 RFextremeFET (RFeFET),可以显著改善射频特性,同时降低功耗。与 14 纳米射频相比,三星的 RFeFET 补充了数字 PPA 扩展,同时恢复了模拟 / 射频扩展,从而实现了高性能 5G 平台。
  
  三星在新闻稿中写道,三星的工艺优化最大限度地提高了通道移动性,同时最大限度地减少了寄生效应。由于 RFeFET 的性能大幅提升,射频芯片的晶体管总数和模拟 / 射频块的面积可以实现减小。与 14 纳米射频相比,由于采用 RFeFET 架构创新,三星的 8 纳米射频工艺技术将功率效率提高了 35%,而射频芯片面积减少了 35%。
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